商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 470mV@1mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 20mA | |
| 反向电流(Ir) | - | |
| 工作结温范围 | -40℃~+125℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - |
商品概述
MA4E2508 SURMOUNT™ 反并联二极管系列是采用专利异质微波集成电路（HMIC）工艺制造的硅基低、中、高势垒肖特基器件。HMIC 电路由形成二极管或过孔导体的硅基座组成，这些基座嵌入玻璃电介质中，玻璃电介质作为低色散、低损耗的微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC 器件在薄型、可靠的器件中具备出色的损耗和功率耗散特性。
Surmount 肖特基器件是需要梁式引线器件的小寄生参数与芯片卓越机械性能相结合的电路的理想选择。SurMount 结构采用极低电阻的硅过孔，将肖特基触点连接到芯片底面的金属化安装焊盘。这些器件可靠、可重复，是传统器件的低成本高性能解决方案。与传统梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。
Surmount 肖特基结制造中采用的多层金属化包括铂扩散势垒，这使得所有器件能够在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。
“0502”外形允许表面贴装和多功能极性取向。
外壳样式 1112 键合焊盘金属厚度：最小 2 微米 - 最大 3 微米
外壳样式 1112
等效电路 低势垒：MA4E2508L，中势垒：MA4E2508M，高势垒：MA4E2508H
电气规格：频率直流 - 18 GHz，环境温度 TA = +25°C
- RT 是动态斜率电阻，其中 RT = RS + RJ，RJ = 26 / IDC（IDC 单位为 mA），RS 是欧姆电阻。
- 1 mA 时的最大正向电压差 ΔVf：10 mV
Spice 参数（每个二极管） 3. Spice 参数（每个二极管）基于 MA4E2502 系列数据手册。
绝对最大额定值 @ +25°C 4. 超过这些限制中的任何一个或组合可能会对该器件造成永久性损坏。 5. MACOM 不建议在这些生存极限附近持续运行。
商品特性
- 极低的寄生电容和电感
- 可用于微波电路的表面贴装，无需引线键合
- 采用聚酰亚胺划痕保护的坚固 HMIC 结构
- 可靠的多层金属化，带有扩散势垒，100% 稳定烘烤（300°C，16 小时）
应用领域
- 微波电路，适用于 Ku 波段频率的低功率应用，如混频器、次谐波混频器、检测器和限幅器