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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MA4GP030-277
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |
商品概述
砷化镓PIN二极管在许多微波半导体应用中，相比硅器件提供了更优越的性能特性。这些优势源于砷化镓固有的半导体特性。其固有的高载流子迁移率造就了低电阻、快速开关的器件。I区层中的低载流子浓度产生了接近零的穿通偏置电压。砷化镓的高带隙也确保了其能在高温下工作。使用廉价的TTL缓冲器逻辑，砷化镓PIN二极管可实现低纳秒级的开关速度。之所以能实现此性能，是因为砷化镓PIN二极管在正偏压（最高0.5V）下表现出高阻抗。在许多砷化镓PIN二极管应用中不需要反向偏置。由于在导通和非导通状态下具有低寄生串联电阻，在高达40 GHz的频率下，开关和移相器电路中的低损耗成为可能。
商品特性
- 可直接由TTL信号驱动
- 符合RoHS标准
- 低串联电阻
- 快速开关速度
- 无需反向偏置
- 符合RoHS标准