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MMD820-0805
硅阶跃恢复二极管，具有全钝化真台面结构，适用于毫米波倍频和皮秒脉冲形成
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MMD820-0805
- 商品编号
- C4468221
- 商品封装
- 0805
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.106667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 | |
| 正向压降(Vf) | - | |
| 直流反向耐压(Vr) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 150mA | |
| 反向电流(Ir) | - | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | |
| 工作结温范围 | -65℃~+175℃ |
商品概述
二极管采用全钝化、真正台面结构，实现快速过渡和更高稳定性。梁式引线阶跃恢复二极管（SRD）在毫米波倍频和皮秒脉冲形成方面具有行业最快的过渡时间。 封装形式包括：裸片、梁式引线芯片、带引脚塑料贴片、陶瓷微波管壳、陶瓷环氧贴片、陶瓷密封贴片、塑料贴片、玻璃轴向引线。 芯片和梁式引线电气规格：环境温度TA = 25°C。 测试条件： 击穿电压VB：反向电流IR = 10 μA 结电容CJ：反向电压VR = 6V，频率1MHz 过渡时间t：正向电流IF = 10 mA，反向电流IR = 6 mA，50%恢复 芯片的下降时间tf：正向电流IF = 10 mA，反向电压VR = 10 V 梁式引线的下降时间tf：正向电流IF = 3 mA，反向电压VR = 7 V 截止频率FC0 = 1 / (2πRS) 绝对最大额定值 芯片和梁式引线外形图
陶瓷封装电气规格：环境温度TA = 25°C。 测试条件： 击穿电压VB：反向电流IR = 10 μA 总电容CT：反向电压VR = 6V，频率1MHz 过渡时间t：正向电流IF = 10 mA，反向电流IR = 6 mA，50%恢复 MMD805 - MMD840的过渡时间t：正向电流IF = 10 mA，反向电压VR = 10 V MMDB30 - MMDB45的下降时间tf：正向电流IF = 3 mA，反向电压VR = 7 V 绝对最大额定值
玻璃封装电气规格：环境温度TA = 25°C。 测试条件： 击穿电压VB：反向电流IR = 10 μA MMD0151和MMD0153的总电容CT：反向电压VR = 6 V，频率1MHz MMD0803 - MMD0840的总电容CT：反向电压VR = 10 V，频率1MHz 过渡时间t：正向电流IF = 10 mA，反向电流IR = 6 mA，50%恢复 MMD0803 - MMD0825的下降时间tf：正向电流IF = 10 mA，反向电压VR = 10 V MMD0151、MMD0153、MMD0833、MMD0840的过渡时间t：芯片数据封装限制为100 ps 绝对最大额定值
玻璃外形图 A15 电容 (CP) = 0.15 pF 电感 (LP) = 2.5 nH
塑料封装电气规格：环境温度TA = 25°C。 测试条件： 击穿电压VB：反向电流IR = 10 μA 结电容CJ：反向电压VR = 6V，频率1MHz 过渡时间t：正向电流IF = 10 mA，反向电流IR = 6 mA，50%恢复 最小击穿电压MAVR - 011057 - 12790T：反向电流IR = 10 μA时，VB = 20 V 总电容Ct：反向电压VR = 6 V，频率1 MHz时，Ct = 0.75 pF（最大值） 过渡时间TI：正向电流IF = 10 mA，反向电流IR = 6 mA，50%恢复时，TI = 10 ns（典型值） 绝对最大额定值
塑料外形图 SOT23 SOD323 SC - 79 (SOD523)
典型性能曲线：环境温度TA = 25°C 过渡时间与驱动关系
商品特性
- 输出梳状频谱可达40+ GHz
- 过渡时间低至35 ps
- 可按照MIL - PRF - 19500和MIL - PRF - 38534进行筛选