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NCE6080A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE6080A

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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描述
NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE6080A
商品编号
C492741
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.749克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)90.3nC@30V
输入电容(Ciss)4nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

该器件是一款基于MDmesh™ M5创新垂直工艺技术并结合知名PowerMESH™水平布局的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻,特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。

商品特性

  • 极低的漏源导通电阻(RDS(on))
  • 低栅极电荷和输入电容
  • 出色的开关性能
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF