温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

GD5F1GQ4UBYIGR

SPI(x1/x2/x4) NAND Flash 1G

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: GigaDevice(兆易创新)
商品型号: GD5F1GQ4UBYIGR
商品编号: C492071
商品封装: WSON-8-EP(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.299克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	90uA
	擦写寿命	-
	功能特性	坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能

商品概述

SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了一种基于行业标准NAND闪存核心的超高性价比、高密度非易失性存储器解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代品，具有以下先进特性：总引脚数为8个（包括VCC和GND），密度为1G比特；与SPI-NOR相比，具有更优的写入性能和每比特成本；与并行NAND相比，成本显著降低。这款低引脚数的NAND闪存遵循行业标准串行外设接口，并且在不同密度产品间保持相同的引脚排列。其指令集类似于常见的SPI-NOR指令集，但经过修改以处理NAND特定功能并增加了新特性。GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND闪存，其设计特性旨在简化主机管理：用户可选内部ECC。在页编程操作期间，ECC码在内部生成。当一页数据被读取到缓存寄存器时，ECC码会检测并在必要时纠正错误。即使启用内部ECC，64字节的备用区域仍然可用。器件输出纠正后的数据并返回ECC错误状态。支持带内部ECC的内部数据移动或复制回操作。器件可以轻松刷新并执行垃圾回收任务，无需将数据移入或移出。支持带内部ECC的上电读取。器件上电后将自动读取第一个块的第一页到缓存，然后主机可以直接从缓存读取数据以便于启动。同时，内部ECC确保数据正确性。它以页为单位进行编程和读取，以块为单位进行擦除。数据以页为单位传输到NAND闪存阵列或从其传出，至数据寄存器和缓存寄存器。缓存寄存器最靠近I/O控制电路，充当I/O数据的数据缓冲区；数据寄存器最靠近存储阵列，充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器，支持页和随机数据的读取/写入以及复制回操作。这些器件还使用一个SPI状态寄存器来报告器件操作状态。

商品特性

读和编程页大小为2048字节，备用128字节
标准、双线、四线SPI
标准SPI：SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD#
双线SPI：SCLK, CS#, SIO0, SIO1, WP#, HOLD#
四线SPI：SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, SIO3
高速时钟频率
快速读取时钟频率高达120MHz（负载30pF）
四线I/O数据传输速率高达480Mbits/s
软件/硬件写保护
通过软件写保护全部或部分存储器
使用WP#引脚启用/禁用保护
顶部或底部块选择组合
高级安全特性
8K字节OTP区域
单电源电压
1.8V全电压范围：1.7V ~ 2.0V
3.3V全电压范围：2.7V ~ 3.6V
编程/擦除/读取速度
页编程时间：典型值400us
块擦除时间：典型值3ms
页读取时间：最大值80us（带内部ECC）
低功耗
最大工作电流40mA
最大待机电流90uA
增强的访问性能
2K字节缓存用于快速随机读取
缓存读取和缓存编程
NAND高级特性
内部ECC选项，每528字节
带ECC的页内内部数据移动
第一个块（块0）在出厂时保证为有效块。

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	1Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	120MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	400us