F59L1G81MB-25TG2M

NAND 并口

描述: 1 Gbit (128M x 8) 3.3V NAND Flash Memory，具有25 ns的快速访问时间和4 ms的典型块擦除时间。支持自动编程和擦除，具有100K次编程/擦除耐久性和10年的数据保留时间。
品牌名称: ESMT(晶豪)
商品型号: F59L1G81MB-25TG2M
商品编号: C492198
商品封装: TSOPI-48L
包装方式: 托盘
商品毛重: 2.307克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	0℃~+70℃
	待机电流	10uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；坏块管理功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能
	ECC	有