F59L1G81MB-25TG2M
NAND 并口
- 描述
- 1 Gbit (128M x 8) 3.3V NAND Flash Memory，具有25 ns的快速访问时间和4 ms的典型块擦除时间。支持自动编程和擦除，具有100K次编程/擦除耐久性和10年的数据保留时间。
- 品牌名称
- ESMT(晶豪)
- 商品型号
- F59L1G81MB-25TG2M
- 商品编号
- C492198
- 商品封装
- TSOPI-48L
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.307克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 300us | |
| 块擦除时间(tBE) | 4ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | - |
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