温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUCN08S7L013ATMA1
适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道增强模式逻辑电平
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN08S7L013ATMA1
- 商品编号
- C48017555
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 293A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 219W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.349nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.842nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- 用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
- N 沟道 – 增强模式 – 逻辑电平
- 超出 AEC - Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 坚固的设计
- 可承受高达 260°C 峰值回流的 MSL1 等级
- 175°C 工作温度
- 符合 RoHS 标准
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用