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IAUCN04S7L037HATMA1
适用于汽车应用的N沟道增强型逻辑电平OptiMOS功率MOSFET，具备扩展认证、增强电气测试和稳健设计
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S7L037HATMA1
- 商品编号
- C48017902
- 商品封装
- PG-TDSON-8-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.031nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 514pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOSTM功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健的设计
- 高达260°C峰值回流的MSL1
- 175°C工作温度
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用