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IAUZN04S7L012ATMA1
适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道增强模式逻辑电平
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUZN04S7L012ATMA1
- 商品编号
- C48017834
- 商品封装
- SON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 199A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.835nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.422nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- OptiMOSTM汽车应用功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用