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CCi8333SWD-2DH
带有源米勒钳位和输出分离的单通道隔离式栅极驱动器
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- 描述
- CCi8333是一款用于IGBT和MOSFET的5.7kV RMS增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH和OUTL）以及6A的拉电流能力和10A的灌电流能力。CCi8333可有效驱动IGBT、MOSFET，具有75ns典型传播延迟和10ns最大脉宽失真。输入侧通过一个5.7kV RMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制（CMTI）最小值为200V/ns。
- 品牌名称
- CrossChip(成都芯进)
- 商品型号
- CCi8333SWD-2DH
- 商品编号
- C47817655
- 商品封装
- SOP-16W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700V | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 14ns | |
| 下降时间(tf) | 13ns | |
| 传播延迟 tpLH | 75ns | |
| 传播延迟 tpHL | 75ns | |
| 静态电流(Iq) | 1.9mA | |
| CMTI(kV/us) | 200kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 30V | |
| 功能特性 | 米勒钳位保护；饱和故障检测 |
商品概述
CCi8333是一款用于IGBT和MOSFET的5.7kVRMS增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出以及6A拉电流和10A灌电流能力。该器件可有效驱动IGBT和MOSFET，具备75ns典型传播延迟和10ns最大脉宽失真。输入侧通过一个5.7kVRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制最小值为200V/ns。输出驱动侧可接受最大30V的电源电压，输入侧电源电压范围为3V~5.5V。所有电源电压引脚均具备欠压锁定保护功能，在欠压状态下输出为低电平。内置去饱和故障检测功能，当检测到故障时，会阻断隔离器输出并启动软关断。该器件采用SOP16W封装，工作温度范围为-40°C~125°C。
商品特性
- 单通道智能隔离式栅极驱动器
- 输入侧电源电压：3V~5.5V，带欠压锁定保护控制
- 输出驱动侧电源电压：13V~30V，带欠压锁定保护控制
- 具有6A峰值拉电流和10A峰值灌电流能力
- 高共模瞬态抑制：最小值为200V/ns，典型值为250V/ns
- 满足增强型隔离要求，具有超高绝缘耐压
- 75ns典型传播延迟
- 10ns最大脉宽失真
- VCLAMP = 1V时，1.3A有源米勒钳位
- 主动输出下拉特性，在低电源或输入悬空情况下，输出被有效钳位
- 故障保护时，输出采用120mA软关断
- 具备去饱和故障保护，故障时通过XFLT发出报警，XRST可复位清除故障
- 具有RDY引脚指示的输入和输出欠压锁定，欠压时RDY为低电平
- 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空情况下默认输出低电平
- 抑制小于20ns的输入脉冲，可接收最小36ns的窄脉冲
- 工作环境温度：-40°C~125°C
- ESD (HBM) ±3kV，ESD (CDM) ±1.5kV
- 采用SOP16W封装，爬电距离和间隙大于8.5mm
应用领域
- 电机驱动器
- 工业电源、UPS和电池充电器
- 太阳能逆变器
- HEV和EV电源模块
- 隔离IGBT、功率MOSFET栅极驱动