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MB85RS64TPNF-G-AMERE2
采用铁电和硅栅CMOS工艺的铁电随机存取存储器，支持SPI接口，读写耐久性高
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- 商品型号
- MB85RS64TPNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C47818333
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
MB85RS64T是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为8192字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS64T采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RS64T无需备用电池即可保留数据。MB85RS64T使用的存储单元可进行10的13次方次读写操作，这相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。MB85RS64T不像闪存或E²PROM那样需要很长时间来写入数据，且无需等待时间。
商品特性
- 位配置：8192字×8位
- 串行外设接口：SPI（串行外设接口），对应SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
- 工作频率：10 MHz（最大值）
- 高耐久性：10的13次方次/字节
- 数据保留：10年（+85 °C）
- 工作电源电压：1.8 V至3.6 V
- 低功耗：工作电源电流0.8 mA（最大值@10 MHz），待机电流9 μA（典型值）
- 工作环境温度范围：-40 °C至+85 °C
- 封装：8引脚塑料SOP、8引脚塑料SON，符合RoHS标准