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BMD60N650UC1Z
BMD60N650UC1Z
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- 描述
- 超结 MOSFET,600V,8A,650mΩ@10V
- 商品型号
- BMD60N650UC1Z
- 商品编号
- C47715868
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 406pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.16pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMx60N650UC1Z 是一款功率 MOSFET，采用了 Bestirpower 先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来了低 EMI 优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 极低的 FOM（Rdson*Qg 和 Eoss）带来极低的损耗。
- 极高的换向鲁棒性。
- 高 ESD 鲁棒性
应用领域
- 功率因数校正(PFC)-适配器-液晶电视(LCD TV)-LED 照明-不间断电源(UPS)