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BMF65N120UC1
N沟道 650V 28A
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,28A,120mΩ@10V
- 商品型号
- BMF65N120UC1
- 商品编号
- C47715871
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMF65N120UC1 是一款功率 MOSFET,采用了百思特的先进超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰优势,同时具备低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 极低的 FOM(Rdson*Qg 和 Eoss)带来极低的损耗。
- 极高的换向鲁棒性。
应用领域
-交流/直流电源-电脑电源-电信/服务器-太阳能逆变器
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