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BMF65N120UC1
N沟道 650V 28A
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,28A,120mΩ@10V
- 商品型号
- BMF65N120UC1
- 商品编号
- C47715871
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器
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