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BMB80N180C1
N沟道 800V 23A
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- 描述
- 超结 MOSFET,800V,23A,180mΩ@10V
- 商品型号
- BMB80N180C1
- 商品编号
- C47715870
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关
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