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BMB80N180C1
N沟道 800V 23A
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- 描述
- 超结 MOSFET,800V,23A,180mΩ@10V
- 商品型号
- BMB80N180C1
- 商品编号
- C47715870
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMB80N180C1是一款功率MOSFET,采用了百思特的先进超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰(EMI)的优势,还具有低开关损耗的特点。
商品特性
-超快体二极管。-极低的品质因数(FOM),带来极低的损耗。-极高的换向鲁棒性。-无卤且符合RoHS标准。
应用领域
-电脑电源-服务器电源-电信-LED照明-电动汽车充电器-太阳能/不间断电源(UPS)
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