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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP1545G

1个N沟道 耐压:150V 电流:45A

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描述
采用超级沟槽技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP1545G
商品编号
C489179
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.1V
栅极电荷量(Qg)21.1nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF@75V
反向传输电容(Crss)11.7pF@75V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCEP1545G采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 150V,ID = 45A,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 24mΩ(典型值)
  • 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度达150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试!
  • 100%进行了ΔVds测试!

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF