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MMBT589LT1G-HXY
PNP 电流:1A 电压:30V
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- 描述
- 这款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）能力，适用于需要中等功率处理的电路。其集电极-发射极电压（VCEO）为30V，确保在低压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，提供了良好的信号放大效果。该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，使其在高频操作条件下依然表现出色。此元件非常适合用于构建对信号放大精度和响应速度有高要求的电子设备，如无线通讯模块或便携式音频装置，满足复杂电路设计的需求。
- 商品型号
- MMBT589LT1G-HXY
- 商品编号
- C47502951
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV@2A,200mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 用于便携式应用负载管理的高电流表面贴装PNP硅开关晶体管
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