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NSVMMBT589LT1G-HXY
PNP 电流:1A 电压:30V
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- 描述
- 此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电路设计，具备1A的集电极电流（IC）能力，支持最高30V的集电极-发射极电压（VCEO），非常适合用于信号放大和开关应用。其直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，保证了稳定的性能和高效能转换。此外，该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，确保在高频工作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性，是构建复杂电路的理想选择。
- 商品型号
- NSVMMBT589LT1G-HXY
- 商品编号
- C47502953
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV@2A,200mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 用于便携式应用负载管理的高电流表面贴装PNP硅开关晶体管
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