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NSS30100LT1G-HXY
PNP 电流:1A 电压:30V
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- 描述
- 这款PNP型三极管（BJT）具备1A的集电极电流（IC）能力，适用于需要中等功率处理的电路设计。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，能够适应多种电源条件下的稳定工作需求。该三极管的直流电流增益（HFE）范围在100到300之间，确保了优秀的放大性能。同时，它拥有100MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现优异。此款三极管非常适合用于构建高效能信号放大和切换电路，如无线通信设备或智能家居装置中的关键组件。
- 商品型号
- NSS30100LT1G-HXY
- 商品编号
- C47502952
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV@2A,200mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 用于便携式应用负载管理的高电流表面贴装PNP硅开关晶体管
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