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CMB200N25
N场 250V 90A
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- 描述
- MOS管，TO-263，N场，耐压：250V,电流：90A，10V内阻：0.019Ω，功率：300W，CISS（Typ）：4600PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB200N25
- 商品编号
- C47345521
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.699克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3nF |
商品概述
200N25采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电池管理系统-不间断电源