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CMD607B
N+P场 30V 20A
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- 描述
- MOS管，TO-252-4L，N+P场，耐压：30V,电流：20A，10V内阻：0.02Ω，4.5V：0.035Ω，功率：25W，CISS（Typ）：650PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD607B
- 商品编号
- C47345523
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
CMD607B采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-负载开关-DC/DC转换器