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CMSL008N06A
N场 60V 350A
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- 描述
- MOS管，TOLL-8，N场，耐压：60V,电流：350A，10V内阻：0.0013Ω，4.5V：0.0022Ω，功率：350W，CISS（Typ）：7500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL008N06A
- 商品编号
- C47345537
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
65R600D是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻、栅极电荷，并减少振铃趋势。因此，其开关损耗极低，非常适合开关应用。此外，这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管，具备更高的耐用性和出色的ESD能力，是设计师的理想之选。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
- 适配器-PFC电源级-DC-DC转换器