TLE2161IP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 6.5MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 3pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 93dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 10V/us | |
| 静态电流(Iq) | 350uA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 9uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 出色的输出驱动能力：在Rₗ = 100 Ω、Vcc± = ± 5 V时，V₀最小为 ± 2.5 V；在Rₗ = 600 Ω、Vcc± = ± 15 V时，V₀最小为 ± 12.5 V
- 低电源电流：典型值为280 μA
- 去补偿以实现高压摆率和增益带宽积：AvD最小为0.5，压摆率典型值为10 V/μs，增益带宽积典型值为6.5 MHz
- 宽工作电源电压范围：Vcc±为 ± 3.5 V至 ± 18 V
- 高开环增益：典型值为280 V/mV
- 低失调电压：最大为500 μV
- 低失调电压随时间的漂移：典型值为0.04 μV/月
- 低输入偏置电流：典型值为5 pA
应用领域
- 高密度系统应用 - 小型封装和芯片载体版本
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