TL3842BDR

TL284xB 和 TL384xB 系列控制集成电路具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且只需最少数量的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO) 和一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源。其他内部电路包括确保锁存操作的逻辑电路、一个同时提供限流控制的脉宽调制 (PWM) 比较器，以及一个设计用于提供或吸收高峰值电流的图腾柱输出级。该输出级适合驱动 N 沟道 MOSFET，在关断状态下为低电平。

TL284xB 和 TL384xB 系列与标准的 TL284x 和 TL384x 引脚兼容，并具有以下改进。启动电流规定为 0.5 mA（最大值），而振荡器放电电流微调至 8.3 mA（典型值）。此外，在欠压锁定条件下，输出在吸收 10 mA 电流时（VCC = 5 V）的最大饱和电压为 1.2 V。

这些系列成员之间的主要区别在于 UVLO 阈值和最大占空比范围。TLx842B 和 TLx844B 器件典型的 UVLO 阈值为 16 V（开启）和 10 V（关断），使其非常适合离线应用。TLx843B 和 TLx845B 器件相应的典型阈值为 8.4 V（开启）和 7.6 V（关断）。TLx842B 和 TLx843B 器件可在接近 100% 的占空比下工作。TLx844B 和 TLx845B 通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而获得 0% 至 50% 的占空比范围。TL284xB 系列器件的工作温度范围为 -40℃ 至 85℃。TL384xB 系列器件的工作温度范围为 0℃ 至 70℃。

• 低启动电流 (< 0.5 mA)
• 微调振荡器放电电流
• 高达 500 kHz 的电流模式操作
• 自动前馈补偿
• 用于逐周期限流的锁存 PWM
• 带欠压锁定的内部微调基准源
• 大电流图腾柱输出
• 带迟滞的欠压锁定
• 双脉冲抑制