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FDMC86261P
1个P沟道 耐压:150V 电流:9A
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86261P
- 商品编号
- C484921
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -2.4 A时，最大rDS(on) = 160 mΩ
- 在VGS = -6 V、ID = -2.2 A时，最大rDS(on) = 185 mΩ
- 极低的RDS导通中压P沟道硅技术，针对低Qg进行了优化
- 该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 100%通过UI1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 有源钳位开关-负载开关
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