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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 58.3 nC）
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器