CEM2401-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:13A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单路功率型沟道型MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8;P—Channel沟道,-20V;-13A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-1.2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CEM2401-VB
- 商品编号
- C4355141
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式设备-负载开关-电池开关-充电器开关
- NTD50N03T4G-VB
- 20N06HD-VB
- HAT1038R-VB
- NTD4863NT4G-VB
- RU75N08S-VB
- SIR836DP-T1-GE3-VB
- IRF7304TRPBF-VB
- HAT2064R-VB
- MF0W4FF1003A50
- CSRV0204FTDG0120
- CSRV0204FTDG0100
- ERH336M2WI25RR4NF-R
- UER277M1CF1ARRX0CR
- DRL106S0TG25RRASP
- ESH158M1VI30RRS0P-R
- EHP129M1JQ45SZSHP-V
- ESK476M1HE11CBSNP
- ESK226M1JE11RRSRQ-R
- ESK108M1VI20RRSRP1R
- EGT107M1HF12CB40P-R
- RMC1/16S-224JTH


