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HAT1038R-VB
2个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HAT1038R-VB
- 商品编号
- C4355144
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关
- NTD4863NT4G-VB
- RU75N08S-VB
- SIR836DP-T1-GE3-VB
- IRF7304TRPBF-VB
- HAT2064R-VB
- MF0W4FF1003A50
- CSRV0204FTDG0120
- CSRV0204FTDG0100
- ERH336M2WI25RR4NF-R
- UER277M1CF1ARRX0CR
- DRL106S0TG25RRASP
- ESH158M1VI30RRS0P-R
- EHP129M1JQ45SZSHP-V
- ESK476M1HE11CBSNP
- ESK226M1JE11RRSRQ-R
- ESK108M1VI20RRSRP1R
- EGT107M1HF12CB40P-R
- RMC1/16S-224JTH
- RMC1/16SK223FTH
- RPCH32K100JTP
- RGC1/16C221FTP