NTD50N03T4G-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:25.8A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺,适用于各种功率控制和驱动应用,包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252;N—Channel沟道,30V;80A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD50N03T4G-VB
- 商品编号
- C4355142
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换
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- ESK226M1JE11RRSRQ-R
- ESK108M1VI20RRSRP1R
- EGT107M1HF12CB40P-R
- RMC1/16S-224JTH
- RMC1/16SK223FTH


