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SIHG47N60E-GE3
耐压:600V 电流:47A
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Q₉。低输入电容 (Cᵢₛₛ)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Q₉)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正电源 (PFC)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG47N60E-GE3
- 商品编号
- C4354996
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤