温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LND16N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:16A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND16N60
- 商品编号
- C483627
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻(RDS(on))
- 低栅极电荷(典型值Qg = 53.2 nC)
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器