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LND20N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND20N60
- 商品编号
- C483640
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.872克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.96nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Q_g × RDS(on)乘积（品质因数）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）