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LND4N80
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND4N80
- 商品编号
- C483594
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 499pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此制成的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg）=19 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)