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LSH65R1K5HT
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSH65R1K5HT
- 商品编号
- C483587
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.691克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 214pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.29pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此得到的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg）=18.9 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器