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LSG80R680GT
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSG80R680GT
- 商品编号
- C483510
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 873pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LonFETTM功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此得到的器件具有极低的导通电阻,特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 超低的导通电阻RDS(on)
- 超低的栅极电荷(典型值Qg = 19.5 nC)
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)