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LSD65R125HT
1个N沟道 耐压:650V 电流:25A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSD65R125HT
- 商品编号
- C483534
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.23nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.96pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻，特别适用于要求高功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷Qg = 23 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)