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LSE55R140GT
1个N沟道 耐压:550V 电流:23A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSE55R140GT
- 商品编号
- C483460
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 205W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.73nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 40nC）
- 经过100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）