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LSC55R140GF

1个N沟道 耐压:550V 电流:23A

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商品型号
LSC55R140GF
商品编号
C483463
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.834克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)550V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.73nF
反向传输电容(Crss)4.1pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)76.2pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

LonFETTM功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(on)
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 40 nC)
  • 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF