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LSB65R070GF

1个N沟道 耐压:650V 电流:47A

商品型号
LSB65R070GF
商品编号
C483438
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.908克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)290W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)87nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)4.677nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)2.556nF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

LonFETTM功率MOSFET采用先进的超结技术制造。所得器件的导通电阻极低,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(on)
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 87nC)
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)

数据手册PDF