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CA-IS3215VNW

适用于SiC/IGBT的具有主动保护功能、高CMTI、15A拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器

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描述: 适用于 SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器
品牌名称: Chipanalog(川土微)
商品型号: CA-IS3215VNW
商品编号: C46961827
商品封装: SOIC-16-WB
包装方式: 编带
商品毛重: 0.608114克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	5700V
	负载类型	IGBT
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	拉电流(IOH)	15A
	灌电流(IOL)	15A
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	上升时间(tr)	30ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	输入高电平(VIH)	2.1V~5.5V
	输入低电平(VIL)	0V~1.65V
	静态电流(Iq)	2300uA
	CMTI(kV/us)	150kV/us
	驱动侧工作电压	13V~33V
	功能特性	米勒钳位保护；集成供电电源；死区时间控制；饱和故障检测

商品概述

CA-IS3215/6 是一系列基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器，可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。该系列器件具有先进的主动保护功能、出色的动态性能和高可靠性，同时具备高达 ±15A 峰值的拉电流和灌电流能力。它通过 SiO₂ 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持 1.5kV 的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度，在额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年，同时具有良好的器件一致性以及大于 150 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。该器件集成了多重保护功能：快速过流和短路检测、有源短路保护、有源米勒钳位、主动下拉、短路钳位、软关断、故障报告、控制和驱动侧电源欠压锁定，并针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化以提高可靠性。全系列采用 SOIC-16 宽体封装，爬电距离和间隙距离大于 8mm。

商品特性

5.7 kVRMS 耐压等级的单通道隔离栅极驱动器
驱动最高达 2121 VPK 的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压
±15A 峰值驱动电流能力
OUTH 和 OUTL 分离输出配置
高共模瞬态抗扰度：150 kV/μs
200ns 响应时间的快速 DESAT 保护功能
内置 4A 峰值电流有源米勒钳位
发生故障时提供 400 mA 或 1 A 软关断
驱动侧和控制侧独立的 ASC 输入控制
过饱和故障时提供 FLT 警告，可通过 RST/EN 复位
快速响应的 RST/EN 关断/使能功能
输入引脚上 40ns 瞬态和脉冲抑制功能
12V VDD 欠压锁定和电源就绪指示功能
直通死区保护
130ns 或 150ns 最大传播延迟
30ns 最大脉宽失真
30ns 最大器件间延时匹配
额定工作电压下隔离栅寿命大于 40 年
工作结温范围：-40℃ 至 150℃
通过 VDE 增强隔离、UL 1577 和 GB 4943.1-2022 认证

应用领域

大功率变频器
太阳能逆变器
直流快速充电桩

数据手册PDF

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