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SI7155DP-T1-GE3-A
SI7155DP-T1-GE3-A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7155DP-T1-GE3-A
- 商品编号
- C46628762
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 161nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
TSP90N20MC采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 行业领先的RDS(on)规格(截至2017年11月)
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-适配器和充电器开关-负载开关-电机驱动控制-DC/DC转换器-电源-电池管理