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FDC637AN
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.2A
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- 描述
- 此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC637AN
- 商品编号
- C479707
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.125nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。与更大的 SO - 8 和 TSSOP - 8 封装相比，这些器件在极小的占位面积下实现了出色的功率耗散。
商品特性
- 在 VGS = 2.5V 时,RDS(on) = 0.032Ω
- 6.2A,20V。在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) = 0.024Ω
- 开关速度快
- 栅极电荷低(典型值为 10.5nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT - 6 封装:占位面积小(比标准 SO - 8 小 72%);厚度薄(1mm)
应用领域
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 电池保护