温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHG155N60EF-GE3-VB
N沟道 耐压:600V 电流:20A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHG155N60EF-GE3-VB
- 商品编号
- C46527790
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- SIHG21N65EF-GE3-VB
- SIHG22N50D-GE3-VB
- SIHG22N60EL-GE3-VB
- SIHG30N60E-E3-VB
- SIHG32N50D-GE3-VB
- SIHG44N65EF-GE3-VB
- SIHG47N65E-GE3-VB
- SIHP12N60E-GE3-VB
- SIHP12N65E-GE3-VB
- SIHP21N65EF-GE3-VB
- SIHP22N60S-E3-VB
- SIHP22N65E-GE3-VB
- SIHP240N60E-GE3-VB
- SIHW47N60E-GE3-VB
- SPP20N60CFD-VB
- SPP20N65C3-VB
- SPP20N65C3XKSA1-VB
- SPP80P06PHXKSA1-VB
- SPW16N50C3-VB
- SPW20N60C3FKSA1-VB
- SPW20N60CFDFKSA1-VB