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TPM6080NHK3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM6080NHK3

耐压:60V 电流:80A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM6080NHK3
商品编号
C46472309
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.8386克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)33nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.66nF
反向传输电容(Crss)200pF
输出电容(Coss)280pF

商品概述

GT035N12M采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • 低栅极电荷,使开关损耗最小化

应用领域

  • 适配器
  • 充电器
  • 电源管理
  • 开关电源待机电源

数据手册PDF