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TPM100VAND56
N沟道 耐压:100V 电流:105A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM100VAND56
- 商品编号
- C46472315
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.358nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 924pF |
商品概述
G400P06K采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时） -25A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时） < 40mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载/电源开关-接口、逻辑开关-超便携式电子产品的电池管理