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NSH079N15D
N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NSH079N15D
- 商品编号
- C46352553
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 113A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 273W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),高效节能
- 低栅极电荷,实现高速开关
- 高单脉冲雪崩能量,可靠性高
- 经过100%非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻(RG)测试
应用领域
-直流-直流转换器与同步整流-高频电路与电池管理系统(BMS)-电机驱动与印刷电路板控制-汽车电子与不间断电源(UPS)