温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSH110N15D
N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NSH110N15D
- 商品编号
- C46352555
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.882nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT030N08D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),实现高效率
- 低栅极电荷,实现高速开关
- 高单脉冲雪崩能量,实现高可靠性
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻(RG)测试
应用领域
- 直流-直流转换器和同步整流
- 高频电路和电池管理系统(BMS)
- 电机驱动和印刷电路板控制
- 汽车电子和不间断电源(UPS)