温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSH110N15C
N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NSH110N15C
- 商品编号
- C46352559
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.882nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，实现高效率
- 低栅极电荷，实现高速开关
- 高单脉冲雪崩能量，实现高可靠性
- 100%经过单向雪崩能量和栅极电阻测试
应用领域
- 直流-直流转换器和同步整流-高频电路和电池管理系统(BMS)-电机驱动器和印刷电路板控制-汽车电子和不间断电源(UPS)