温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FMMT495TA

NPN 电流:1A 电压:150V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: FMMT495TA
商品编号: C47296
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：150V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：10 @ 250mA，10V
功率 - 最大值：500mW
频率 - 跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

起订量：5 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交58单

	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN
	集电极电流(Ic)	1A
	集射极击穿电压(Vceo)	150V
	耗散功率(Pd)	500mW
	直流电流增益(hFE)	50@500mA,10V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	100MHz
	集电极截止电流(Icbo)	100nA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	300mV
	工作温度	-55℃~+150℃
	射基极击穿电压(Vebo)	7V