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FGH40N60SMD-F085
FGH40N60SMD-F085
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为汽车充电器、逆变器和低导通和开关损耗至关重要的其他应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH40N60SMD-F085
- 商品编号
- C475768
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 349W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.88nF | |
| 输出电容(Coes) | 180pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 920uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 300uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 36ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- FGH40N60UFTU
- FGH40T120SQDNL4
- FGH40T65SPD-F155
- FGH60N60SMD-F085
- FGH60N60UFDTU-F085
- NGTB40N120S3WG
- MSH2512N2W0R002F
- MSH2512N2W0R003F
- MSH2512N2W0R004F
- MSH2512F2W0R005F
- MSH2512N2W0R006F
- MSH2512N2W0R007F
- MSH2512N2W0R008F
- ERG1VM222L30OT
- EML1HM4R7C07C33T
- SPZ0JM122E11P25RAXXX
- SPZ0JM122F11O00RAXXX
- ERS1HM681K18C36T
- SPZ0JM102F11O00RAXXX
- #A920CY-100M=P3
- GCM3195C1H223JA16D