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NGTB40N120S3WG
NGTB40N120S3WG
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB40N120S3WG
- 商品编号
- C475774
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 454W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 212nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.912nF | |
| 输出电容(Coes) | 140pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 145ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 163ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款绝缘栅双极晶体管（IGBT）采用坚固且经济高效的超场截止沟槽结构，在要求苛刻的开关应用中表现卓越，具备低开关损耗。该IGBT非常适合需要低VF二极管的快速开关IGBT应用，例如移相全桥等。器件中集成了一个具有低正向电压的续流二极管。
商品特性
- 采用场截止技术的高效沟槽结构
- 最高结温T_Jmax = 175°C
- 低VF反向二极管
- 针对高速开关进行优化
- 这些是无铅器件
应用领域
- 焊接
- 不间断电源逆变器（UPS）
- 电机控制
- MSH2512N2W0R002F
- MSH2512N2W0R003F
- MSH2512N2W0R004F
- MSH2512F2W0R005F
- MSH2512N2W0R006F
- MSH2512N2W0R007F
- MSH2512N2W0R008F
- ERG1VM222L30OT
- EML1HM4R7C07C33T
- SPZ0JM122E11P25RAXXX
- SPZ0JM122F11O00RAXXX
- ERS1HM681K18C36T
- SPZ0JM102F11O00RAXXX
- #A920CY-100M=P3
- GCM3195C1H223JA16D
- IML-0688G
- LFB2H2G45CC1D005
- XNCJH26M000TJEA2E2
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- BLM18BB750SN1D
- IKW50N65H5